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江苏英特神斯科技有限公司MEMS加工平台位于南京浦口高新技术开发区，平台建于2009年，拥有100级净化厂房40平方米，1000级净化厂房300平方米。MEMS加工平台拥有国内一流的MEMS前道加工设备、技术和人才，面向国内和全球客户，提供完整的MEMS器件设计加工服务。 光刻工艺 光刻工艺一般包括前处理、匀胶、对准曝光、显影、烘干等工艺步骤 光刻设备型号：EVG620 双面光刻机 对准精度（20X目镜） 正面0.5um 背面1.0um 处理晶圆尺寸： 衬底直径150mm，衬底厚度0.1~10mm 匀胶设备 EVG150 全自动涂胶机 显影设备 Mask Cleaner 设备型号：Ultratech 603 100级洁净烘箱/HDMS烘箱 SRD甩干机 设备型号：SemiTool ST 470F / ST 870 键合工艺 　　　可进行的键合类型：阳极键合、共晶键合、焊料键合、硅硅键合（预键合）、玻璃-玻璃键合。 　　　键合机型号：EVG 520IS 　　　处理晶圆尺寸：衬底直径150mm 湿法腐蚀工艺 可进行4寸和6寸圆片的标准清洗、湿法腐蚀工艺 标准清洗（硫酸，氨水，盐酸）； 非金属腐蚀(SiO2、Si3N4等)； 金属腐蚀Al、Cu、Cr、Au和合金等； KOH溶液进行Si的各向异性腐蚀； TMAH溶液进行Si的各向异性腐蚀 干法刻蚀工艺 RIE 可进行RIE刻蚀Si、SiO2、Si3N4工艺 RIE设备型号：AXIC HF8 处理晶圆尺寸：衬底直径≤150mm 等离子体灰化/干法去胶工艺 设备型号March PX-1000 薄膜淀积工艺 PECVD 可沉积SiO2、Si3N4等薄膜材料，衬底尺寸4寸、6寸 PECVD设备型号：GSI ULTRADEP 1 磁控溅射 可淀积Au、Pt、Al、Cu、Cr、Ti、Ni、NiCr、Al-Si-Cu等薄膜 设备型号：金盛 MSP-620 处理晶圆尺寸：衬底直径≤150mm 高温氧化退火 可进行4寸和6寸片的干氧、湿氧和高温退火工艺 CO2超临界释放 可进行特殊器件结构的释放 设备型号：Tousimis 915B 处理样品尺寸：直径≤150mm 晶圆划片 可进行硅片、玻璃片、硅-玻璃键合片及玻璃-玻璃键合片的切割工艺。 设备型号：ADT 7100 切割晶圆尺寸：直径≤200mm 引线键合 半自动球焊机 设备型号：K&S 4522 Multi-Process Gold Wire Ball Bonder 半自动楔焊机 设备型号：K&S 4129 Deep Access Wedge Bonder 测试设备 台阶轮廓仪 设备型号： KLA-Tencor Surfscan P-11 profiler Long scan ability Low force scan (0.05 mg) with 1 Å resolution and repeatability of 8 Å 3D scan function 膜厚仪 设备型号：Nanometrics Nanospec 212 measurement System 半导体参数测试仪 设备型号：Agilent 4155C Semiconductor Parameter Analyzer 半自动探针台 设备型号：Karl Suss PA-200 方块电阻测试仪 设备型号：Jingge ST2253 4-point Probe 测量显微镜 设备型号：Nikon Optiphot 150